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PD57018-E /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
PD57018-E的规格信息
PD57018-E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:2.5 A

Vds-漏源极击穿电压:65 V

Rds On-漏源导通电阻:760 mOhms

增益:16.5 dB

输出功率:18 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerSO-10RF-Formed-4

封装:Tube

配置:Single

高度:3.5 mm

长度:7.5 mm

工作频率:1 GHz

系列:PD57018-E

类型:RF Power MOSFET

宽度:9.4 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:1 S

通道模式:Enhancement

湿度敏感性:Yes

Pd-功率耗散:31.7 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:400

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

单位重量:3 g

供应商PD57018-E
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PD57018-ESTMicroelectronicsTrans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
RoHS : Compliant
25 : $25.49
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PD57018-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 POWER RF Transistor400+:¥177.081+:¥194.7201
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PD57018-ESTMicroelectronicsTrans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
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1 : $35.200001
25 : $31.200001
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PD57018-ESTMicroelectronicsTRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10400 : $24.3455
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PD57018-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 POWER RF Transistor400+:¥177.08
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PD57018-ESTMicroelectronicsFET RF 65V 945MHZ PWRSO10$25.09000
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PD57018-ESTMicroelectronicsPD57018-E Series 1 GHz 18 W 65 V N-Channel RF Power Transistor - POWERSO-10RF
RoHS : Compliant
50 : $28.6997
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Mouser 贸泽电子
PD57018-ESTMicroelectronics射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor1:¥249.0407
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Richardson RFPD
PD57018-ESTMicroelectronicsRF POWER TRANSISTOR100 : $25.44
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PD57018-ESTMicroelectronicsTrans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube$22.6744
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Verical
PD57018-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 POWER RF Transistor400+:¥177.081+:¥194.7201
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