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PD55015S-E /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
PD55015S-E的规格信息
PD55015S-E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:5 A

Vds-漏源极击穿电压:40 V

增益:14 dB

输出功率:15 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerSO-10RF-Straight-4

封装:Tube

配置:Single

高度:3.5 mm

长度:7.5 mm

工作频率:1 GHz

系列:PD55015-E

类型:RF Power MOSFET

宽度:9.4 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:2.5 S

通道模式:Enhancement

湿度敏感性:Yes

Pd-功率耗散:73 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:400

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

单位重量:3 g

供应商PD55015S-E
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PD55015S-ERF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO419.96 Kbytes共27页PD55015S-E的PDF下载地址MRF6V2010NR1,MRF6S21060NR1,MRF7S19100NR1,MRF7S18170H,MRF373,MRF5P21045NR1,MRF6S19140HR3_07,MRF6S21140HR3_07,MRF6S21140HR3,MRF6V2150NR1
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PD55015S-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品400+:¥111.58400+:¥97.511+:¥173.16
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PD55015S-ESTMicroelectronicsTRANS MOSFET N-CH 40V 5A 3PIN PWRSO-10RF (ST LEAD) - Rail/Tube99 : $15.5033
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PD55015S-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10400 : $15.341
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PD55015S-ESTMicroelectronicsFET RF 40V 500MHZ PWRSO-10$15.75000
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PD55015S-ESTMicroelectronicsRF POWER TRANSISTOR100 : $16.03
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