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PD55025S-E /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
PD55025S-E的规格信息
PD55025S-E的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:7 A

Vds-漏源极击穿电压:40 V

增益:14.5 dB

输出功率:25 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerSO-10RF-Straight-4

封装:Tube

配置:Single

高度:3.5 mm

长度:7.5 mm

工作频率:1 GHz

系列:PD55025-E

类型:RF Power MOSFET

宽度:9.4 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:2.5 S

通道模式:Enhancement

湿度敏感性:Yes

Pd-功率耗散:79 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:400

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

单位重量:3 g

供应商PD55025S-E
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PD55025S-E及相关型号的PDF资料
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PD55025S-ERF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO493.87 Kbytes共22页PD55025S-E的PDF下载地址PD57006-E,PD55035-E,PD57030-E,PD54008-E,PD55015-E,PD55008-E,PD57070-E,PD57060-E,SD56120_06,MRF6V2010NR1
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PD55025S-E的全球分销商及价格
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Am2		PD55025S-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:￥158.7
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Digi-Key 得捷电子		PD55025S-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:￥158.7
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250+:￥135.79
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Digi-Key 得捷电子		PD55025S-ESTMicroelectronicsFET RF 40V 500MHZ PWRSO10$28.64000
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		PD55025S-ESTMicroelectronics射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor1:¥167.6694
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Richardson RFPD		PD55025S-ESTMicroelectronicsRF POWER TRANSISTOR100 : $22.48
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Verical		PD55025S-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:￥158.7
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Verical		PD55025S-ESTMicroelectronicsTrans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube$13.5901
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