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PD55025-E /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD55025-E的规格信息
PD55025-E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:7 A

Vds-漏源极击穿电压:40 V

增益:14.5 dB

输出功率:25 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerSO-10RF-Formed-4

封装:Tube

配置:Single

高度:3.5 mm

长度:7.5 mm

工作频率:1 GHz

系列:PD55025-E

类型:RF Power MOSFET

宽度:9.4 mm

商标:STMicroelectronics

通道模式:Enhancement

湿度敏感性:Yes

Pd-功率耗散:79 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:400

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

单位重量:3 g

供应商PD55025-E
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PD55025-ERF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO493.87 Kbytes共22页PD55025-E的PDF下载地址PD57006-E,PD55035-E,PD57030-E,PD54008-E,PD55015-E,PD55008-E,PD57070-E,PD57060-E,SD56120_06,MRF6V2010NR1
PD55025-ERF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO540.83 Kbytes共23页PD55025-E的PDF下载地址
PD55025-E_10RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO540.83 Kbytes共23页PD55025-E_10的PDF下载地址
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PD55025-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch1+:¥215.87
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PD55025-ESTMicroelectronicsTRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO1010 : $26.415
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Digi-Key 得捷电子
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PD55025-ESTMicroelectronicsPD55025-E Series 500 MHz 25 W 40 V N-Channel RF Power Transistor - POWERSO-10RF
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Mouser 贸泽电子
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PD55025-ESTMicroelectronicsRF POWER TRANSISTOR100 : $22.48
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Verical
PD55025-ESTMicroelectronicsTrans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube$20.0398
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
PD55025-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch1+:¥215.87
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1000+:¥147.511+:¥150.511+:¥143.49