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PD55035S-E /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
PD55035S-E的规格信息
PD55035S-E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:7 A

Vds-漏源极击穿电压:40 V

增益:16.9 dB

输出功率:35 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerSO-10RF-Straight-4

封装:Tube

配置:Single

高度:3.5 mm

长度:7.5 mm

工作频率:1 GHz

系列:PD55035-E

类型:RF Power MOSFET

宽度:9.4 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:2.5 S

通道模式:Enhancement

湿度敏感性:Yes

Pd-功率耗散:95 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:400

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

单位重量:3 g

供应商PD55035S-E
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PD55035S-ERF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO402.81 Kbytes共22页PD55035S-E的PDF下载地址PD57006-E,PD55015-E,PD55008-E,SD56120_06,MRF6V2010NR1,MRF6S21060NR1,MRF7S19100NR1,MRF7S18170H,MRF373,MRF5P21045NR1
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PD55035S-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥249.33
10+:¥230.63
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PD55035S-ESTMicroelectronicsTRANS MOSFET N-CH 40V 7A 3PIN PWRSO-10RF (ST LEAD) - Rail/Tube99 : $22.85
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PD55035S-ESTMicroelectronicsTrans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin(2+Tab) PowerSO-10RF (Straight lead)
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PD55035S-ESTMicroelectronicsTRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO1010 : $30.509
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PD55035S-ESTMicroelectronics射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor400:¥191.0265
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10+:¥230.63
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800+:¥184.5299
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PD55035S-ESTMicroelectronicsRF POWER TRANSISTOR100 : $25.97
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PD55035S-ESTMicroelectronicsTrans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead)$19.4337