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NJVMJD42CT4G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SILICON Pwr TRANSISTOR
NJVMJD42CT4G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

最大直流电集电极电流:6 A

增益带宽产品fT:3 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MJD42C

直流电流增益 hFE 最大值:30 at 300 mA, 4 V

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:6.22 mm

商标:ON Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:30

Pd-功率耗散:1750 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

资格:AEC-Q101

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

零件号别名:NJVMJD42CT4G-VF01

单位重量:350 mg

供应商NJVMJD42CT4G
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