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NJVMJD127T4G /达林顿晶体管 BIP DPAK PNP 8A 100V
NJVMJD127T4G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:

配置:Single

晶体管极性:PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

最大直流电集电极电流:8 A

最大集电极截止电流:10 uA

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MJD127

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:Reel

直流电流增益 hFE 最大值:100

商标:ON Semiconductor

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

单位重量:351 mg

供应商NJVMJD127T4G
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NJVMJD127T4GON Semiconductor达林顿晶体管 BIP DPAK PNP 8A 100V1:¥6.3732
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100:¥3.4013
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