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NJVMJD243T4G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 4A 100V TR
NJVMJD243T4G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:7 V

集电极—射极饱和电压:300 mV

最大直流电集电极电流:8 A

增益带宽产品fT:40 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MJD243

直流电流增益 hFE 最大值:180 at 200 mA, 1 VDC

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:4 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:40 at 200 mA, 1 VDC

Pd-功率耗散:12.5 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

资格:AEC-Q101

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

单位重量:351 mg

供应商NJVMJD243T4G
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