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NJVMJD112G /ON Semiconductor/分立半导体产品
NJVMJD112G的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：75

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 单路

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：2A

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：3V @ 40mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）：20µA

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：1000 @ 2A，3V

功率 - 最大值：1.75W

频率 - 跃迁：25MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：DPAK-3

供应商NJVMJD112G
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