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NJVMJD210T4G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP DPAK PNP 5A 25V TR
NJVMJD210T4G的规格信息
NJVMJD210T4G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V

集电极—基极电压 VCBO:40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:8 V

集电极—射极饱和电压:1.8 V

最大直流电集电极电流:10 A

增益带宽产品fT:65 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MJD210

直流电流增益 hFE 最大值:180 at 2 A, 1 V

封装:Reel

商标:ON Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:45 at 2 A, 1 V

Pd-功率耗散:12.5 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

资格:AEC-Q101

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

供应商NJVMJD210T4G
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