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NJVMJD32CT4G-VF01 /MJD32 Series 100 V 3 PNP Surface Mount Complementary Power Transistor - DPAK-3
NJVMJD32CT4G-VF01的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型:PNP

Current-Collector(Ic)(Max):3A

Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):100V

不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):1.2V @ 375mA,3A

电流-集电极截止(最大值):20µA

不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):10 @ 3A,4V

Power-Max:1.56W

频率-跃迁:3MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:DPAK

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商NJVMJD32CT4G-VF01
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深圳市坤融电子有限公司NJVMJD32CT4G-VF01航都大厦10I0755-23990975
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