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NJVMJD41CT4G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 6A 100V TR
NJVMJD41CT4G的规格信息
NJVMJD41CT4G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:1.5 V

增益带宽产品fT:3 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MJD41C

直流电流增益 hFE 最大值:75

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:6 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:15

Pd-功率耗散:1.75 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

资格:AEC-Q101

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

零件号别名:NJVMJD41CT4G-VF01

单位重量:340 mg

供应商NJVMJD41CT4G
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10:¥5.6839
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2,500:¥2.7007
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