NCE65TF130F
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):28A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:130mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道
NCE65TF130F的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)28A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻130mΩ @ 14A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)35W(Tc)
类型N沟道
NCE65TF130F
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NCE65TF130F | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):28A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:130mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道 | 无锡新洁能 |  | 623.26 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
NCE65TF130F的全球分销商及价格
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 立创商城 | NCE65TF130F | 无锡新洁能 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):28A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:130mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥8.97 10+:¥6.68 30+:¥6.26 100+:¥5.84 500+:¥5.66 1000+:¥5.56
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