NCE65T260K
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：260mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：131W(Tc) 类型：N沟道
NCE65T260K的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）15A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻260mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）131W(Tc)
类型N沟道
NCE65T260K
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| NCE65T260K | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：260mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：131W(Tc) 类型：N沟道 | 无锡新洁能 |  | 490.44 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
NCE65T260K的全球分销商及价格
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立创商城 | NCE65T260K | 无锡新洁能 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：260mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：131W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥5.45
10+:￥4.1
30+:￥3.85
100+:￥3.6
500+:￥3.49
1000+:￥3.44
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