NCE65T540I
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：540mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：69W(Tc) 类型：N沟道
NCE65T540I的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）8A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻540mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）69W(Tc)
类型N沟道
NCE65T540I
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| NCE65T540I | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：540mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：69W(Tc) 类型：N沟道 | 无锡新洁能 |  | 489.78 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
NCE65T540I的全球分销商及价格
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立创商城 | NCE65T540I | 无锡新洁能 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：540mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：69W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥2.99
10+:￥2.3
30+:￥2.18
100+:￥2.05
500+:￥1.99
1000+:￥1.97
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