NCE65T360F
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:360mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32.6W(Tc) 类型:N沟道
NCE65T360F的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)11.5A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻360mΩ @ 7A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)32.6W(Tc)
类型N沟道
NCE65T360F
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| NCE65T360F | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:360mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32.6W(Tc) 类型:N沟道 | 无锡新洁能 |  | 611.81 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
NCE65T360F的全球分销商及价格
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 立创商城 | NCE65T360F | 无锡新洁能 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:360mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32.6W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥4.34 10+:¥3.33 30+:¥3.15 100+:¥2.96 500+:¥2.88 1000+:¥2.84
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