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NCE65T1K2I /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.1Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W 类型：N沟道

NCE65T1K2I的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）650V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻1.1Ω @ 2A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）41W

类型N沟道

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	NCE65T1K2I	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市博浩通科技有限公司	NCE65T1K2I	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
集好芯城	NCE65T1K2I	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	NCE65T1K2I	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	NCE65T1K2I	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司	NCE65T1K2I	华强北路新华强广场B座27D	0755-83238360 13603072128	陈	询价
深圳市惊羽科技有限公司	NCE65T1K2I	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

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NCE65T1K2I	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.1Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W 类型：N沟道	无锡新洁能		476.58 Kbytes	共8页		无

NCE65T1K2I的全球分销商及价格

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立创商城	NCE65T1K2I	无锡新洁能	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.1Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W 类型：N沟道	1+:￥1.7102 10+:￥1.2953 30+:￥1.2191 100+:￥1.1429 500+:￥1.1091 1000+:￥1.0924

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