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NCE60P50 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):95W(Tc) 类型:P沟道
NCE60P50的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A(Tc)

栅源极阈值电压3.5V @ 250uA

漏源导通电阻28mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)95W(Tc)

类型P沟道

供应商NCE60P50
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NCE60P50无锡新洁能连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):95W(Tc) 类型:P沟道1+:¥2.92
10+:¥2.23
30+:¥2.11
100+:¥1.98
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NCE60P50K无锡新洁能连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):95W 类型:P沟道1+:¥2.68
10+:¥2.11
30+:¥2
100+:¥1.9
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1000+:¥1.83