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NCE65T180 /
NCE65T180的规格信息
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商品目录MOS(场效应管)

供应商NCE65T180
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深圳市天卓伟业电子有限公司NCE65T180深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司NCE65T180深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司NCE65T180航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市博浩通科技有限公司NCE65T180华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
15989349634,13798567707
朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
集好芯城NCE65T180深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司NCE65T180深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司NCE65T180D深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司NCE65T180深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司NCE65T180华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128
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深圳市科思奇电子科技有限公司NCE65T180D上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市鑫智腾创科技有限公司NCE65T180F深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-813066809747
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李小姐Email:xiegp12@163.com询价
万三科技(深圳)有限公司NCE65T180深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516,18818598465
18818598465
王俊杰Email:darren@wansan.net.cn询价
深圳市惊羽科技有限公司NCE65T180D深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
深圳市惊羽科技有限公司NCE65T180V深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
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深圳市惊羽科技有限公司NCE65T180深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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NCE65T180D连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):180W(Tc) 类型:N沟道无锡新洁能无锡新洁能的LOGO622.78 Kbytes共10页NCE65T180D的PDF下载地址
NCE65T180F连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33.8W(Tc) 类型:N沟道无锡新洁能无锡新洁能的LOGO622.78 Kbytes共10页NCE65T180F的PDF下载地址
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NCE65T180无锡新洁能MOS(场效应管)1+:¥7.42
10+:¥5.55
30+:¥5.2
100+:¥4.86
500+:¥4.71
1000+:¥4.63
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NCE65T180D无锡新洁能连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):180W(Tc) 类型:N沟道1+:¥7.76
10+:¥5.8
30+:¥5.44
100+:¥5.08
500+:¥4.92
1000+:¥4.84
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NCE65T180F无锡新洁能连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33.8W(Tc) 类型:N沟道1+:¥7.75
10+:¥5.87
30+:¥5.53
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NCE65T180T无锡新洁能MOS(场效应管)1+:¥9.4
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