设计资源：IRFH5025TR2PBF Saber Model IRFH5025TR2PBF Spice Model

标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：剪切带（CT）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.8A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 5.7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 150µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：56nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2150pF @ 50V

功率 - 最大值：3.6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-VQFN

供应商器件封装：8-QFN

其它名称：IRFH5025TR2PBFCT