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IRFH4210DTRPBF /MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
IRFH4210DTRPBF的规格信息
IRFH4210DTRPBF的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PQFN-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Id-连续漏极电流:44 A

Rds On-漏源导通电阻:1.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:77 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.5 W

配置:Single

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.83 mm

长度:6 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5 mm

商标:Infineon / IR

正向跨导 - 最小值:392 S

下降时间:16 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:45 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:24 ns

典型接通延迟时间:19 ns

零件号别名:SP001575718

供应商IRFH4210DTRPBF
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深圳市威雅利发展有限公司IRFH4210DTRPBF华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IRFH4210DTRPBF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司IRFH4210DTRPBFwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IRFH4210DTRPBF深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司IRFH4210DTRPBF深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司IRFH4210DTRPBF航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城IRFH4210DTRPBF深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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芯莱德电子（香港）有限公司IRFH4210DTRPBF深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城IRFH4210DTRPbF深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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深圳市辉华拓展电子有限公司IRFH4210DTRPBF深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市高捷芯城科技有限公司IRFH4210DTRPBF深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市仓实科技有限公司IRFH4210DTRPBF深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市华芯盛世科技有限公司IRFH4210DTRPBF深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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深圳市赛美科科技有限公司IRFH4210DTRPBF广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市凌特半导体科技有限公司IRFH4210DTRPBF广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市佳威星科技有限公司IRFH4210DTRPBF深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IRFH4210DTRPBF深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
深圳市博浩通科技有限公司IRFH4210DTRPBF华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
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深圳市安富世纪电子有限公司IRFH4210DTRPBF深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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IRFH4210DTRPBF及相关型号的PDF资料
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IRFH4210DTRPBFHEXFET POWER MOSFETInternational RectifierInternational Rectifier的LOGO503.11 Kbytes共10页IRFH4210DTRPBF的PDF下载地址无
IRFH4210DTRPBFMOSFET N-CH 25V 44A PQFNInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO503.11 Kbytes共10页IRFH4210DTRPBF的PDF下载地址无
IRFH4210DTRPBF连续漏极电流（Id）（25°C 时）：44A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2.1V @ 100uA 漏源导通电阻：1.1mΩ @ 50A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO497.60 Kbytes共9页IRFH4210DTRPBF的PDF下载地址无
IRFH4210DTRPBF的全球分销商及价格
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ChipOneStop		IRFH4210DTRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A1+:￥20.44
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Digi-Key 得捷电子		IRFH4210DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 44A PQFN$1.86000
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Mouser 贸泽电子		IRFH4210DTRPBFInfineon / IRMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A1:¥15.594
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100:¥10.5994
500:¥9.2208
4,000:¥6.9043
8,000:查看
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		IRFH4210DTRPBFInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：44A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2.1V @ 100uA 漏源导通电阻：1.1mΩ @ 50A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W 类型：N沟道1+:￥12.7
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