标准包装：4,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：HEXFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：25A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.4 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 35µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：15nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1321pF @ 13V

功率 - 最大值：25W，28W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：双 PQFN（5x4）

其它名称：IRFH4257DTRPBFTR