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IRFH3707TR2PBF /International Rectifier/分立半导体产品
IRFH3707TR2PBF的规格信息
IRFH3707TR2PBF的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

设计资源：IRFH3707TR2PBF Saber Model IRFH3707TR2PBF Spice Model

标准包装：400

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12A（Ta），29A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：12.4 毫欧 @ 12A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：8.1nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：755pF @ 15V

功率 - 最大值：2.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：8-PQFN（3x3）

其它名称：IRFH3707TR2PBFTR

供应商IRFH3707TR2PBF
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IRFH3707TR2PBF的全球分销商及价格
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Allied Electronics		IRFH3707TR2PBFInternational RectifierMOSFET, 30V, 12A, 12.4 MOHM, 5.4 NC QG, PQFN331 : $0.29
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IRFH3707TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFNObsolete
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Digi-Key 得捷电子		IRFH3707TR2PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 30V 12A 12.4mOhm 5.4nC400+:￥2.89
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Farnell element14		IRFH3707TR2PBFInternational RectifierMOSFET, N CH, 30V, 12A, PQFN33
RoHS : Compliant		250 : $0.238
500 : $0.173
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Future Electronics		IRFH3707TR2PBFInternational RectifierSingle N-Channel 30 V 2.8 W 5.4 nC SMT Hexfet Power Mosfet - PQFN 3 x 3 mm
RoHS : Compliant		2,400 : $0.3222
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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元器件资料网-Newark element14的LOGO
Newark element14		IRFH3707TR2PBFInternational RectifierN CHANNEL MOSFET, 30V, 12A, PQFN, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):12.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V ;RoHS Compliant: Yes价格未公开
元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)		IRFH3707TR2PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 30V 12A 12.4mOhm 5.4nC400+:￥2.891+:￥6.44
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1600+:￥2.31
2400+:￥2.1950+:￥4.04
100+:￥3.63
200+:￥3.17
500+:￥2.91
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