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IRFG5210 /
IRFG5210的规格信息
IRFG5210的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

封装/外壳:MO-036AB

Technology:Hi-Rel DISCRETE

Circuit:Dual

Polarity:2N / 2P

Base Part Status:Active

BVDSS:200

RoHS:No

ID @ 25C P-Channel (A):-0.68

Power Dissipation (W):1.4

Halogen-Free:Yes

ID @ 100C N-Channel (A):0.4

ID @ 100C P-Channel (A):-0.4

RDS(on) @ 25C / P-channel (Ohms):1.6

ID @ 25C N-Channel (A):0.68

无铅情况/RoHs:

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IRFG5210200V, Combination 2N-2P-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO191.63 Kbytes共12页IRFG5210的PDF下载地址IRFZ34VPBF,IRLZ4S,IRFC240,IRF3704ZCSPBF,IRFB4321PBF,IRFP150VPBF,IRL1004SPBF,IRF730ASPBF,IRF7832ZPBF,IRL2505SPBF
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IRFG5210International RectifierTRANS MOSFET N/P-CH 200V 0.68A 14PIN MO-036AB - Bulk50 : $67.1372
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