设计资源：IRFH3702TR2PBF Saber Model IRFH3702TR2PBF Spice Model

标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：剪切带（CT）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：16A（Ta），42A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：7.1 毫欧 @ 16A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：14nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1510pF @ 15V

功率 - 最大值：2.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：8-PQFN（3x3）

其它名称：IRFH3702TR2PBFCT