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IRFH5006TRPBF /MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC
IRFH5006TRPBF的规格信息
IRFH5006TRPBF的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PQFN-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:4.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:69 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:156 W

配置:Single

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.83 mm

长度:6 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:92 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:13 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:9.6 ns

零件号别名:SP001560332

供应商IRFH5006TRPBF
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现代芯城(深圳)科技有限公司IRFH5006TRPBFwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IRFH5006TRPBF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司IRFH5006TRPBF深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
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深圳市坤融电子有限公司IRFH5006TRPBF航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市凌特半导体科技有限公司IRFH5006TRPBF广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237
谢先生Email:3003989381@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司IRFH5006TRPBF深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501
胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
集好芯城IRFH5006TRPBF深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
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13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城IRFH5006TRPBF深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613
郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IRFH5006TRPBF深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市高捷芯城科技有限公司IRFH5006TRPBF深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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19854773352
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深圳市科思奇电子科技有限公司IRFH5006TRPBF上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
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深圳市博浩通科技有限公司IRFH5006TRPBF华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IRFH5006TRPBF深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市清腾科技有限公司IRFH5006TRPBF深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路156号上步工业区405栋3190755-83993052
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刘先生Email:893018447@qq.com询价
深圳市全秀电子有限公司IRFH5006TRPBF东久创新科技园6栋12楼整层13129599479
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IRFH5006TRPBF的全球分销商及价格
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Allied Electronics
IRFH5006TRPBFInfineonMOSFET; 60V; 100A; 4.1mOhm; 67 nC Qg; PQFN5x64000:$2.96
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Allied Electronics
IRFH5006TRPBFInternational RectifierMOSFET, 60V, 100A, 4.1mOhm, 67 nC Qg, PQFN5x6500 : $1.13
1,000 : $1.08
4,000 : $1.0
8,000 : $0.96
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Avnet Express
IRFH5006TRPBFInternational Rectifier4,000 : $1.268
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IRFH5006TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC4000+:¥7.61+:¥14.99
10+:¥8
100+:¥8
500+:¥8
1000+:¥8
4000+:¥7.3501
8000+:¥7.24
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100+:¥8.83
250+:¥7.88
500+:¥7.4
1000+:¥6.924000+:¥8.13
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Digi-Key 得捷电子
IRFH5006TRPBFINFINEON TECHNOLOGIES AMERICAS CORP.MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN4,000 : $1.0454
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Digi-Key 得捷电子
IRFH5006TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC4000+:¥7.6
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRFH5006TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN$1.83000
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element14 Asia-Pacific
IRFH5006TRPBFInternational RectifierMOSFET Transistor
RoHS : Compliant
1 : $16.9
10 : $11.6
100 : $9.0
250 : $8.0
500 : $7.5
1,000 : $7.1
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element14 e络盟电子
IRFH5006TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC4000+:¥7.61+:¥14.99
10+:¥8
100+:¥8
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8000+:¥7.24
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10+:¥11.46
100+:¥8.83
250+:¥7.88
500+:¥7.4
1000+:¥6.92
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Future Electronics
IRFH5006TRPBFInternational RectifierSingle N-Channel 60 V 3.6 W 67 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
RoHS : Compliant
1 : $1.3889
500 : $1.2778
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)
IRFH5006TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC4000+:¥7.61+:¥14.99
10+:¥8
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1000+:¥6.924000+:¥8.131+:¥8.13
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Mouser 贸泽电子
IRFH5006TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC1:¥14.1363
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9721
4,000:¥6.9721
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IRFH5006TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC4000+:¥7.61+:¥14.99
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4000+:¥7.3501
8000+:¥7.24
24000+:¥7.06
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
IRFH5006TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC4000+:¥7.61+:¥14.99
10+:¥8
100+:¥8
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4000+:¥7.3501
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100+:¥8.83
250+:¥7.88
500+:¥7.4
1000+:¥6.924000+:¥8.131+:¥8.131+:¥7.8
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立创商城
IRFH5006TRPBFInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 150uA 漏源导通电阻:4.1mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.6W 类型:N沟道1+:¥13.37
10+:¥10.42
30+:¥10.24
100+:¥10.06