制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:18 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:64 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:47 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:32 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:25 ns

系列:IPD640N06

工厂包装数量:2500

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:32 ns

典型接通延迟时间:6 ns

零件号别名:IPD640N06LGBTMA1 IPD640N06LGXT SP000443766