FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 260µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：24.8nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：584pF @ 100V

功率耗散（最大值）：98W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 3.2A，13V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TO252-3

封装/外壳：TO-252-3

通道类型：N

最大连续漏极电流：9.9 A

最大漏源电压：550 V

最大漏源电阻值：380 m0hms

最大栅源电压：-30 V、+30 V

封装类型：DPAK (TO-252)

晶体管配置：单

引脚数目：3

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：73 W

宽度：6.22mm

最低工作温度：-55 °C

长度：6.73mm

每片芯片元件数目：1

高度：2.41mm

正向二极管电压：0.85V

最高工作温度：+150 °C

尺寸：6.73 x 6.22 x 2.41mm

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：24.8 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：584 pF @ 100 V

典型关断延迟时间：35 ns

典型接通延迟时间：7.2 ns

系列：CoolMOS CE

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs