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IPD50N06S3L-08 / MOSFET N-Ch 55V 50A DPAK-2
IPD50N06S3L-08的规格信息
IPD50N06S3L-08的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:50 A

Vds-漏源极击穿电压:55 V

Rds On-漏源导通电阻:7.8 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :16 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:107 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:50 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:43 ns

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:47 ns

典型接通延迟时间:17 ns

零件号别名:IPD50N06S3L08XT

供应商IPD50N06S3L-08
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