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IPD50N06S4L12ATMA2 /MOSFET MOSFET
IPD50N06S4L12ATMA2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:7.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:49 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:50 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:IPD50N06

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:-

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:6 ns

零件号别名:IPD50N06S4L-12 IPD5N6S4L12XT SP001028640

单位重量:4 g

供应商IPD50N06S4L12ATMA2
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