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IPD50P04P4L-11 /MOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
IPD50P04P4L-11的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:17.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:45 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:58 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:OptiMOS-P2

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:39 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:46 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:IPD50P04P4L11ATMA1 IPD5P4P4L11XT SP000671156

单位重量:4 g

供应商IPD50P04P4L-11
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Digi-Key 得捷电子
IPD50P04P4L-11InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-Channel -40V MOSFET2500+:¥2.49
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
IPD50P04P4L-11Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P21:¥6.9947
10:¥5.989
100:¥4.5991
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Rochester
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立创商城
IPD50P04P4L-11Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.2V @ 85uA 漏源导通电阻:10.6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):58W(Tc) 类型:P沟道1+:¥6.14
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