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IPD50P03P4L-11 /MOSFET P-Ch -30V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
IPD50P03P4L-11的规格信息
IPD50P03P4L-11的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:10.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:42 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:58 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:OptiMOS-P2

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:7 ns

零件号别名:IPD50P03P4L11ATMA1 IPD5P3P4L11XT SP000396290

单位重量:4 g

供应商IPD50P03P4L-11
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深圳市芯幂科技有限公司IPD50P03P4L-11深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司IPD50P03P4L-11深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司IPD50P03P4L-11www.nowchip.com0755-27381274
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IPD50P03P4L-11OptiMOS-P2 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO165.16 Kbytes共9页IPD50P03P4L-11的PDF下载地址无
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Mouser 贸泽电子		IPD50P03P4L-11Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -50A DPAK-2 OptiMOS-P21:¥9.4468
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