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IPD50N06S3L-13 / MOSFET
IPD50N06S3L-13的规格信息
IPD50N06S3L-13的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:50 A

Vds-漏源极击穿电压:55 V

Rds On-漏源导通电阻:13 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :16 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:65 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

封装:Reel

商标:Infineon Technologies

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:103 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:51 ns

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:53 ns

典型接通延迟时间:15 ns

供应商IPD50N06S3L-13
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