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IPD50N06S4L-08 /Infineon Technologies/分立半导体产品
IPD50N06S4L-08的规格信息
IPD50N06S4L-08的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

数据列表：IPD50N06S4L-08

标准包装：2,500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：OptiMOS??

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：50A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：7.8 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 35µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：64nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：4780pF @ 25V

功率 - 最大值：71W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：PG-TO252-3

其它名称：IPD50N06S4L08ATMA1SP000374322

供应商IPD50N06S4L-08
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深圳市安富世纪电子有限公司IPD50N06S4L-08深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市凌特半导体科技有限公司IPD50N06S4L-08广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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IPD50N06S4L-08的全球分销商及价格
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10+:￥5.21
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RoHS : Compliant		10 : $0.42
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Digi-Key 得捷电子		IPD50N06S4L-08InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 60V MOSFET2500+:￥2.8599
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2500+:￥2.78
10000+:￥2.7
25000+:￥2.62
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元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		IPD50N06S4L-08InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 60V MOSFET2500+:￥2.85991+:￥6.43
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50+:￥2.81
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元器件资料网-Rochester Electronics的LOGO
Rochester Electronics		IPD50N06S4L-08Infineon Technologies AGN/A500 : $0.41
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元器件资料网-Rutronik的LOGO
Rutronik		IPD50N06S4L-08Infineon Technologies AGMOSFET 60V 8.0mOHM AECQ TO252 RoHSconf15,000 : $0.3498
20,000 : $0.3438
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		IPD50N06S4L-08Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252$0.525
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10+:￥9.31
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100+:￥8.21
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1000+:￥7.84
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