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IPD35N10S3L26ATMA1 /MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
IPD35N10S3L26ATMA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:35 A

Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:39 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:71 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:XPD35N10

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:18 ns

典型接通延迟时间:6 ns

零件号别名:IPD35N10S3L-26 IPD35N1S3L26XT SP000386184

单位重量:4 g

供应商IPD35N10S3L26ATMA1
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100:¥5.0624
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2,500:¥3.1301
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