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IPD30N06S2L-23 /Infineon Technologies/分立半导体产品
IPD30N06S2L-23的规格信息
IPD30N06S2L-23的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

数据列表：IPD30N06S2L-23

标准包装：2,500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：OptiMOS??

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：30A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 22A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：42nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1091pF @ 25V

功率 - 最大值：100W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：PG-TO252-3

其它名称：IPD30N06S2L-23-NDIPD30N06S2L23IPD30N06S2L23ATMA1SP000252168

供应商IPD30N06S2L-23
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深圳市天卓伟业电子有限公司IPD30N06S2L-23深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPD30N06S2L-23深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPD30N06S2L-23深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司IPD30N06S2L-23深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
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现代芯城（深圳）科技有限公司IPD30N06S2L-23www.nowchip.com0755-27381274
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现代芯城（深圳）科技有限公司IPD30N06S2L-23深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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深圳市辉华拓展电子有限公司IPD30N06S2L-23深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城IPD30N06S2L-23深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市毅创腾电子科技有限公司IPD30N06S2L-23深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市坤融电子有限公司IPD30N06S2L-23航都大厦10I0755-23990975
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芯莱德电子（香港）有限公司IPD30N06S2L-23深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司IPD30N06S2L-23深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IPD30N06S2L-23深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市赛美科科技有限公司IPD30N06S2L-23广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市骏凯诚科技有限公司IPD30N06S2L-23深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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IPD30N06S2L-23及相关型号的PDF资料
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IPD30N06S2L-23OptiMOS Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO153.91 Kbytes共8页IPD30N06S2L-23的PDF下载地址无
IPD30N06S2L-23的全球分销商及价格
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Avnet Express		IPD30N06S2L-23Infineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel2,500 : $0.3794
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Chip1Stop		IPD30N06S2L-23Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252
RoHS : Compliant		10 : $0.46
100 : $0.37
1,000 : $0.29
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		IPD30N06S2L-23InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 30A 23mOhms1+:￥5.8
10+:￥4.5001
100+:￥3.44
500+:￥2.91
1000+:￥2.64
2500+:￥2.45
5000+:￥2.25
10000+:￥2.23
25000+:￥2.151+:￥7.06
25+:￥5.87
100+:￥4.98
250+:￥4.45
500+:￥3.9
1000+:￥3.2510+:￥3.45
50+:￥2.83
100+:￥2.73
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Digi-Key 得捷电子		IPD30N06S2L-23Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 55V 30A TO252-3价格未公开
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPD30N06S2L-23InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 30A 23mOhms1+:￥5.8
10+:￥4.5001
100+:￥3.44
500+:￥2.91
1000+:￥2.64
2500+:￥2.45
5000+:￥2.25
10000+:￥2.23
25000+:￥2.15
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element14 Asia-Pacific		IPD30N06S2L-23Infineon Technologies AGMOSFET N CH 55V 30A TO-252
RoHS : Compliant		1 : $7.3
25 : $6.1
100 : $5.2
250 : $4.6
500 : $4.1
1,000 : $3.4
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		IPD30N06S2L-23InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 30A 23mOhms1+:￥5.8
10+:￥4.5001
100+:￥3.44
500+:￥2.91
1000+:￥2.64
2500+:￥2.45
5000+:￥2.25
10000+:￥2.23
25000+:￥2.151+:￥7.06
25+:￥5.87
100+:￥4.98
250+:￥4.45
500+:￥3.9
1000+:￥3.25
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		IPD30N06S2L-23InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 30A 23mOhms1+:￥5.8
10+:￥4.5001
100+:￥3.44
500+:￥2.91
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1000+:￥3.2510+:￥3.45
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100+:￥2.731+:￥2.29
25+:￥2.27
50+:￥2.25
100+:￥2.23
300+:￥2.1799
500+:￥2.1601
1000+:￥2.14
5000+:￥2.13
元器件资料网-Rochester Electronics的LOGO
Rochester Electronics		IPD30N06S2L-23Infineon Technologies AGREF: SP000252168500 : $0.37
1,000 : $0.35
元器件资料网-Rutronik的LOGO
Rutronik		IPD30N06S2L-23Infineon Technologies AGMOSFET 55V 23.0mOHM AECQ TO252 RoHSconf35,000 : $0.347
45,000 : $0.3411
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		IPD30N06S2L-23Infineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2V @ 50uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 22A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道1+:￥3.88
10+:￥2.93
30+:￥2.75
100+:￥2.58
500+:￥2.5
1000+:￥2.46
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