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IPD30N08S2L-21 /MOSFET N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
IPD30N08S2L-21的规格信息
IPD30N08S2L-21的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:75 V

Id-连续漏极电流:30 A

Rds On-漏源导通电阻:20.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:56 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:136 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:11 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:30 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:44 ns

典型接通延迟时间:9 ns

零件号别名:IPD30N08S2L21ATMA1 IPD3N8S2L21XT SP000252170

单位重量:4 g

供应商IPD30N08S2L-21
IPD30N08S2L-21的供应商,可免费索样
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深圳市天卓伟业电子有限公司IPD30N08S2L-21深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPD30N08S2L-21深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPD30N08S2L-21深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市威雅利发展有限公司IPD30N08S2L-21华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司IPD30N08S2L-21www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司IPD30N08S2L-21深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
19924492152		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市华芯盛世科技有限公司IPD30N08S2L-21深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312		朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
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集好芯城IPD30N08S2L-21深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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集好芯城IPD30N08S2L-21深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
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13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
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芯莱德电子（香港）有限公司IPD30N08S2L-21深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司IPD30N08S2L-21深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司IPD30N08S2L-21深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IPD30N08S2L-21深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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IPD30N08S2L-21OptiMOS Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO156.28 Kbytes共8页IPD30N08S2L-21的PDF下载地址无
IPD30N08S2L-21的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		IPD30N08S2L-21InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 75V30A 20.5mOhm2500+:￥3.27
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10+:￥4.07
50+:￥3.85
100+:￥3.61
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		IPD30N08S2L-21InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 75V30A 20.5mOhm2500+:￥3.27
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPD30N08S2L-21InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 75V30A 20.5mOhm2500+:￥3.27
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		IPD30N08S2L-21InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 75V30A 20.5mOhm2500+:￥3.27
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IPD30N08S2L-21InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 75V30A 20.5mOhm2500+:￥3.27
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IPD30N08S2L-21Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.2037
500:¥5.4918
2,500:¥3.842
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元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		IPD30N08S2L-21InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 75V30A 20.5mOhm2500+:￥3.27
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立创商城		IPD30N08S2L-21Infineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：2V @ 80uA 漏源导通电阻：20.5mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W(Tc) 类型：N沟道1+:￥10.37
200+:￥4.02
500+:￥3.88
1000+:￥3.81
IPD30N08S2L-21的相关型号
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