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IPD30N10S3L-34 /MOSFET N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T
IPD30N10S3L-34的规格信息
IPD30N10S3L-34的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:30 A

Rds On-漏源导通电阻:25.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:31 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:57 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:OptiMOS-T

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:18 ns

典型接通延迟时间:6 ns

零件号别名:IPD30N10S3L34ATMA1 IPD3N1S3L34XT SP000261248

单位重量:4 g

供应商IPD30N10S3L-34
IPD30N10S3L-34的供应商,可免费索样
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现代芯城（深圳）科技有限公司IPD30N10S3L-34深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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