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IPD320N20N3G / MOSFET N-Ch 200V 34A DPAK-2 OptiMOS 3
IPD320N20N3G的规格信息
IPD320N20N3G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:34 A

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Qg-栅极电荷:22 nC

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:136 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

封装:Reel

配置:Single

下降时间:4 ns

正向跨导 - 最小值:55 S, 28 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:9 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:2500

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:21 ns

典型接通延迟时间:11 ns

零件号别名:IPD320N20N3GBTMA1 IPD320N20N3GXT SP000677838

供应商IPD320N20N3G
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现代芯城(深圳)科技有限公司IPD320N20N3Gwww.nowchip.com0755-27381274
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IPD320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 34A TO252-3$3.13000
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Digi-Key 得捷电子
IPD320N20N3GBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 34A TO252-3Obsolete
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Digi-Key 得捷电子
IPD320N20N3GBTMA1Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 200V 34A TO252-35,000 : $0.99378
2,500 : $1.00872
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Mouser 贸泽电子
IPD320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MV POWER MOS1:¥20.8259
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100:¥14.1363
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5,000:查看
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立创商城
IPD320N20N3GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):34A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 90uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 34A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):136W(Tc) 类型:N沟道1+:¥13.37
10+:¥10.07
30+:¥9.46
100+:¥8.86
500+:¥8.59
1000+:¥8.45
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IPD320N20N3GATMA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):34A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 90uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 34A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):136W(Tc) 类型:N沟道1+:¥21.44
10+:¥18.55
30+:¥18.02
100+:¥17.49
500+:¥17.25
1000+:¥16.96