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IPD30N03S4L-14 /MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD30N03S4L-14的规格信息
IPD30N03S4L-14的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:30 A

Rds On-漏源导通电阻:13.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:16 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:31 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:OptiMOS-T2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns

典型接通延迟时间:3 ns

零件号别名:IPD30N03S4L14ATMA1 IPD3N3S4L14XT SP000275919

单位重量:4 g

供应商IPD30N03S4L-14
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IPD30N03S4L-14OptiMOS-T2 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO190.51 Kbytes共9页IPD30N03S4L-14的PDF下载地址
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IPD30N03S4L-14InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OPTIMOS T2 N-CH 30V 30A 13.6mOhms2500+:¥1.49
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10+:¥3.1601
100+:¥1.9901
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Avnet Express
IPD30N03S4L-14Infineon Technologies Americas Inc.- Rail/Tube2,500 : $0.2104
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Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
IPD30N03S4L-14Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 30V 30A TO252-312,500 : $0.17847
5,000 : $0.19169
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element14 e络盟电子
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
IPD30N03S4L-14Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T21:¥5.6839
10:¥4.7573
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.0792
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Rutronik
IPD30N03S4L-14Infineon Technologies AGMOSFET 30V 13.6mOHM AECQ TO252 RoHSconf15,000 : $0.4188
20,000 : $0.4117
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立创商城
IPD30N03S4L-14Infineon(英飞凌)MOS(场效应管)1+:¥4.62
200+:¥1.79
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