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IPD30N06S2L23ATMA3 /MOSFET N-CHANNEL_55/60V
IPD30N06S2L23ATMA3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:55 V

Id-连续漏极电流:30 A

Rds On-漏源导通电阻:15.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:33 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:100 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:-

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:33 ns

典型接通延迟时间:7 ns

零件号别名:IPD30N06S2L-23 SP001061286

单位重量:4 g

供应商IPD30N06S2L23ATMA3
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IPD30N06S2L23ATMA3MOSFET N-CHANNEL_55/60VInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO147.49 Kbytes共8页IPD30N06S2L23ATMA3的PDF下载地址
IPD30N06S2L23ATMA3MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO148.31 Kbytes共8页IPD30N06S2L23ATMA3的PDF下载地址
IPD30N06S2L23ATMA3连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:2V @ 50uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 22A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO148.31 Kbytes共8页IPD30N06S2L23ATMA3的PDF下载地址
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IPD30N06S2L23ATMA3Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 30A TO252-31$1.08000
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Mouser 贸泽电子
IPD30N06S2L23ATMA3Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL_55/60V1:¥7.0738
10:¥6.0229
100:¥4.6217
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1,000:¥3.2318
2,500:¥2.8702
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IPD30N06S2L23ATMA3Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:2V @ 50uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 22A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道1+:¥6.12
10+:¥5.97
30+:¥5.87
100+:¥5.77
500+:¥4.27