销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Arrow(艾睿) | IPD30N03S2L-10 | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 | 2500+:¥1.981+:¥4.3499 10+:¥3.37 100+:¥2.1799 1000+:¥2.02 2500+:¥1.8599 10000+:¥1.8399 25000+:¥1.77 50000+:¥1.74 100000+:¥ |
 Avnet Express | IPD30N03S2L-10 | Infineon Technologies Americas Inc. | - Tape and Reel | 2,500 : $0.3124
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 Digi-Key 得捷电子 | IPD30N03S2L-10 | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | 2,500 : $0.27216
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 Digi-Key 得捷电子 | IPD30N03S2L-10 | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 | 2500+:¥1.98 |
 Mouser 贸泽电子 | IPD30N03S2L-10 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS | 1:¥6.2263 10:¥5.2319 100:¥3.3787 1,000:¥2.7007 2,500:¥2.2826
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 Mouser 贸泽电子 | IPD30N03S2L-10 | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 | 2500+:¥1.981+:¥4.3499 10+:¥3.37 100+:¥2.1799 1000+:¥2.02 2500+:¥1.8599 10000+:¥1.8399 25000+:¥1.77 50000+:¥1.74 100000+:¥1.72 |
 Rutronik | IPD30N03S2L-10 | Infineon Technologies AG | N-CH 30V 30A 10mOhm TO252-3 RoHSconf | 35,000 : $0.7155 45,000 : $0.7033
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 立创商城 | IPD30N03S2L-10 | VBsemi(台湾微碧) | MOS(场效应管) | 1+:¥1.4882 10+:¥1.0997 30+:¥1.0283 100+:¥0.8613 500+:¥0.83268 1000+:¥0.81864
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 立创商城 | IPD30N03S2L-10 | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 50uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥8.16 200+:¥3.16 500+:¥3.05 1000+:¥3
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