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IPB200N15N3G / MOSFET N-Ch 150V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB200N15N3G的规格信息
IPB200N15N3G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:50 A

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Qg-栅极电荷:31 nC

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:150 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:6 ns

正向跨导 - 最小值:57 S, 29 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:11 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:1000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:23 ns

典型接通延迟时间:14 ns

零件号别名:IPB200N15N3GATMA1 IPB200N15N3GXT SP000414740

供应商IPB200N15N3G
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