IPB180N03S4L-H0的供应商，IPB180N03S4L-H0规格参数，IPB180N03S4L-H0的PDF资料

IPB180N03S4L-H0 /MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N03S4L-H0的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-7

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:180 A

Rds On-漏源导通电阻:1.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:176 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:188 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS-T2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:41 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:24 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:35 ns

零件号别名:IPB180N03S4LH0ATMA1 IPB18N3S4LHXT SP000555050

单位重量:1.600 g

IPB180N03S4L-H0

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市威雅利发展有限公司	IPB180N03S4L-H0	华强北路1019号华强广场A16楼	18124047120 18124047120	韩雪	询价
深圳市芯幂科技有限公司	IPB180N03S4L-H0	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IPB180N03S4L-H0	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳市坤融电子有限公司	IPB180N03S4L-H0	航都大厦10I	0755-23990975 13926529829，17318082080	肖瑶，树平	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	IPB180N03S4L-H0	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IPB180N03S4L-H0	华强北现代之窗A 9D	0755-23903154 13430590551	杨晓芳	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	IPB180N03S4L-H0	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市博浩通科技有限公司	IPB180N03S4L-H0	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IPB180N03S4L-H0	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市赛美科科技有限公司	IPB180N03S4L-H0	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	IPB180N03S4L-H0	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	IPB180N03S4L-H0	深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋603	0755-82777855,0755-82702619 13510175077	刘先生,李小姐	询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	IPB180N03S4L-H0	深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼210	0755-83230201 19147724283，19147721680	王小姐，刘先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	IPB180N03S4L-H0	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司	IPB180N03S4L-H0	深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼	0755-83663056 18922805453，18929374037，18922803401	连	询价
深圳市振钰科技有限公司	IPB180N03S4L-H0	深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-I	0755-85270799 13926543930	廖先生	询价
集好芯城	IPB180N03S4L-H0	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	IPB180N03S4L-H0	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈晓玲	询价
集好芯城	IPB180N03S4L-H0	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	IPB180N03S4L-H0	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
IPB180N03S4L-H0	OptiMOS-T2 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]		172.11 Kbytes	共9页		无

IPB180N03S4L-H0的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	IPB180N03S4L-H0	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-Channel 30V MOSFET	1000+:￥9.261+:￥18.06 10+:￥14.49 100+:￥11.6 500+:￥10.1 1000+:￥9.44 2000+:￥8.6701 5000+:￥8.58 10000+:￥8.21 25000+:￥8.211+:￥8.74 25+:￥8.6701 50+:￥8.59 100+:￥8.51 300+:￥8.47 500+:￥8.42 1000+:￥8.34 5000+:￥8.26
Avnet Express	IPB180N03S4L-H0	Infineon Technologies Americas Inc.	- Tape and Reel	1,000 : $1.3984
Avnet Express	IPB180N03S4L-H0	International Rectifier	- Tape and Reel	价格未公开
Digi-Key 得捷电子	IPB180N03S4L-H0	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3	1,000 : $1.27397
Digi-Key 得捷电子	IPB180N03S4L-H0	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-Channel 30V MOSFET	1000+:￥9.26
Digi-Key 得捷电子	IPB180N03S4L-H0	Infineon Technologies	IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU	$1.42000
Mouser 贸泽电子	IPB180N03S4L-H0	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2	1:¥25.8996 10:¥21.9785 100:¥19.0518 250:¥18.0574 1,000:¥13.673 2,000:查看
Mouser 贸泽电子	IPB180N03S4L-H0	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-Channel 30V MOSFET	1000+:￥9.261+:￥18.06 10+:￥14.49 100+:￥11.6 500+:￥10.1 1000+:￥9.44 2000+:￥8.6701 5000+:￥8.58 10000+:￥8.21 25000+:￥8.21
Rochester Electronics	IPB180N03S4L-H0	Infineon Technologies AG	N/A	500 : $1.45 1,000 : $1.38
立创商城	IPB180N03S4L-H0	Infineon(英飞凌)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：180A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 200uA 漏源导通电阻：0.95mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥30.84 200+:￥11.94 500+:￥11.52 1000+:￥11.31

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