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IPB180N03S4L-H0 /MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
IPB180N03S4L-H0的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-7

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:180 A

Rds On-漏源导通电阻:1.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:176 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:188 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS-T2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:41 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:24 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:35 ns

零件号别名:IPB180N03S4LH0ATMA1 IPB18N3S4LHXT SP000555050

单位重量:1.600 g

供应商IPB180N03S4L-H0
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深圳市威雅利发展有限公司IPB180N03S4L-H0华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPB180N03S4L-H0深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)
Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市仓实科技有限公司IPB180N03S4L-H0深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司IPB180N03S4L-H0深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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芯莱德电子(香港)有限公司IPB180N03S4L-H0深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司IPB180N03S4L-H0深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPB180N03S4L-H0深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市辰芯伟业科技有限公司IPB180N03S4L-H0华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市凌特半导体科技有限公司IPB180N03S4L-H0广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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王小姐,刘先生Email:345720093@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司IPB180N03S4L-H0深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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18922805453,18929374037,18922803401
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集好芯城IPB180N03S4L-H0深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
18188616613
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深圳市辉华拓展电子有限公司IPB180N03S4L-H0深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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集好芯城IPB180N03S4L-H0深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市斌腾达科技有限公司IPB180N03S4L-H0深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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Arrow(艾睿)
IPB180N03S4L-H0InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 30V MOSFET1000+:¥9.261+:¥18.06
10+:¥14.49
100+:¥11.6
500+:¥10.1
1000+:¥9.44
2000+:¥8.6701
5000+:¥8.58
10000+:¥8.21
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25+:¥8.6701
50+:¥8.59
100+:¥8.51
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500+:¥8.42
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IPB180N03S4L-H0Infineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel1,000 : $1.3984
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Avnet Express
IPB180N03S4L-H0International Rectifier- Tape and Reel价格未公开
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Digi-Key 得捷电子
IPB180N03S4L-H0Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-31,000 : $1.27397
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Digi-Key 得捷电子
IPB180N03S4L-H0InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 30V MOSFET1000+:¥9.26
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Digi-Key 得捷电子
IPB180N03S4L-H0Infineon TechnologiesIPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU$1.42000
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Mouser 贸泽电子
IPB180N03S4L-H0Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T21:¥25.8996
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Mouser 贸泽电子
IPB180N03S4L-H0InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 30V MOSFET1000+:¥9.261+:¥18.06
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Rochester Electronics
IPB180N03S4L-H0Infineon Technologies AGN/A500 : $1.45
1,000 : $1.38
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立创商城
IPB180N03S4L-H0Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):180A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 200uA 漏源导通电阻:0.95mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W(Tc) 类型:N沟道1+:¥30.84
200+:¥11.94
500+:¥11.52
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