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IPB180P04P403ATMA2 /MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
IPB180P04P403ATMA2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2

PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

FET TypeP-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)40 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 410µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250 nC @ 10 V

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds17640 pF @ 25 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)150W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackagePG-TO263-7-3

Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

供应商IPB180P04P403ATMA2
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