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IPB180N04S4-H0 /MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
IPB180N04S4-H0的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-7

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:180 A

Rds On-漏源导通电阻:900 uOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:225 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:250 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS-T2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:49 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:24 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:50 ns

典型接通延迟时间:44 ns

零件号别名:IPB180N04S4H0ATMA1 IPB18N4S4HXT SP000711248

单位重量:1.600 g

供应商IPB180N04S4-H0
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