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IPB180N04S3-02 /MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T
IPB180N04S3-02的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-7

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:180 A

Rds On-漏源导通电阻:1.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS-T

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:18 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:19 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:57 ns

典型接通延迟时间:35 ns

零件号别名:IPB180N04S302ATMA1 IPB18N4S32XT SP000254821

单位重量:1.600 g

供应商IPB180N04S3-02
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IPB180N04S3-02Infineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel1,000 : $1.8036
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IPB180N04S3-02Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263
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1 : $2.26
100 : $1.41
500 : $1.31
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Digi-Key 得捷电子
IPB180N04S3-02Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 40V 180A TO263-72,000 : $1.44079
1,000 : $1.51662
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Digi-Key 得捷电子
IPB180N04S3-02InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1000+:¥11.0301
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Mouser 贸泽电子
IPB180N04S3-02InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1000+:¥11.0301
2000+:¥10.481000+:¥11.15
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5000+:¥10.39
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Mouser 贸泽电子
IPB180N04S3-02Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
1,000:¥12.4526
2,000:查看
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Verical
IPB180N04S3-02Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) TO-263$2.825
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Verical
IPB180N04S3-02InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1000+:¥11.0301
2000+:¥10.481000+:¥11.15
2000+:¥10.72
5000+:¥10.39
10000+:¥10.281+:¥15.45
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立创商城
IPB180N04S3-02Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):180A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 230uA 漏源导通电阻:1.5mΩ @ 80A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:N沟道1+:¥36.71
200+:¥14.21
500+:¥13.71
1000+:¥13.46