销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Arrow(艾睿) | IPB200N15N3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 150V 50A | 1+:¥17.53 10+:¥15.79 25+:¥14.15 100+:¥12.73 250+:¥11.3 500+:¥9.871+:¥13.5 10+:¥10.93 100+:¥8.7 500+:¥8.7 1000+:¥8.12 2000+:¥7.46 5000+:¥7.39 10000+:¥7.1 25000+:¥7.0650+:¥19.52 200+:¥15.94 1000+:¥13.08 2000+:¥1 |
 Avnet Express | IPB200N15N3G | Infineon Technologies Americas Inc. | - Tape and Reel | 1,000 : $1.2068
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 Digi-Key 得捷电子 | IPB200N15N3 | Infineon Technologies | N-CHANNEL POWER MOSFET | $1.19000 |
 Digi-Key 得捷电子 | IPB200N15N3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 150V 50A | 1+:¥17.53 10+:¥15.79 25+:¥14.15 100+:¥12.73 250+:¥11.3 500+:¥9.87 |
 Digi-Key 得捷电子 | IPB200N15N3G | Infineon Technologies | IPB200N15 - 12V-300V N-CHANNEL P | $1.19000 |
 Mouser 贸泽电子 | IPB200N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 1:¥21.0519 10:¥17.8992 100:¥14.2945 500:¥12.5204 1,000:¥10.3734
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 Mouser 贸泽电子 | IPB200N15N3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 150V 50A | 1+:¥17.53 10+:¥15.79 25+:¥14.15 100+:¥12.73 250+:¥11.3 500+:¥9.871+:¥13.5 10+:¥10.93 100+:¥8.7 500+:¥8.7 1000+:¥8.12 2000+:¥7.46 5000+:¥7.39 10000+:¥7.1 25000+:¥7.06 |
 Rochester Electronics | IPB200N15N3 | Infineon Technologies AG | N/A | 500 : $0.82 1,000 : $0.78
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 Rochester Electronics | IPB200N15N3G | Infineon Technologies AG | N/A | 500 : $1.24 1,000 : $1.18
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 RS(欧时) | IPB200N15N3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 150V 50A | 1+:¥17.53 10+:¥15.79 25+:¥14.15 100+:¥12.73 250+:¥11.3 500+:¥9.871+:¥13.5 10+:¥10.93 100+:¥8.7 500+:¥8.7 1000+:¥8.12 2000+:¥7.46 5000+:¥7.39 10000+:¥7.1 25000+:¥7.0650+:¥19.52 200+:¥15.94 1000+:¥13.08 2000+:¥11.94 |
 立创商城 | IPB200N15N3 G | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 90uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥25.9 10+:¥22.48 30+:¥21.85 100+:¥21.22 500+:¥20.94 1000+:¥20.6
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