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IPB180P04P4L02ATMA1 /MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
IPB180P04P4L02ATMA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-TO-263-7

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:180 A

Rds On-漏源导通电阻:2.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:286 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:150 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:XPB180P04

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:119 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:28 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:146 ns

典型接通延迟时间:32 ns

零件号别名:IPB180P04P4L-02 IPB18P4P4L2XT SP000709460

单位重量:1.600 g

供应商IPB180P04P4L02ATMA1
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现代芯城(深圳)科技有限公司IPB180P04P4L02ATMA1www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司IPB180P04P4L02ATMA1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
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IPB180P04P4L02ATMA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):180A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.2V @ 410uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:P沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO172.21 Kbytes共9页IPB180P04P4L02ATMA1的PDF下载地址
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IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P21:¥22.2836
10:¥18.9049
100:¥16.3624
250:¥15.594
1,000:¥11.752
2,000:查看
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IPB180P04P4L02ATMA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):180A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.2V @ 410uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:P沟道1+:¥30.95
10+:¥27.18
30+:¥26.48
100+:¥25.79
500+:¥25.48
1000+:¥25.1