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HY4008B /连续漏极电流(Id)(25°C 时):200A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):345W 类型:N沟道
HY4008B的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)80V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)200A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻3.5mΩ @ 100A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)345W

类型N沟道

供应商HY4008B
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现代芯城(深圳)科技有限公司HY4008Bwww.nowchip.com0755-27381274
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HY4008BHUAYI(华羿微)连续漏极电流(Id)(25°C 时):200A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):345W 类型:N沟道1+:¥5.56
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30+:¥3.9
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500+:¥3.53
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